光催化的原理是利用光來激發(fā)二氧化鈦等化合物半導體，利用它們產(chǎn)生的電子和空穴來參加氧化—還原反應(yīng)。 當能量大于或等于能隙的光照射到半導體納米粒子上時，其價帶中的電子將被激發(fā)躍遷到導帶，在價帶上留下相對穩(wěn)定的空穴，從而形成電子—空穴對。由于納米材料中存在大量的缺陷和懸鍵，這些缺陷和懸鍵能俘獲電子或空穴并阻止電子和空穴的重新復(fù)合。這些被俘獲的電子和空穴分別擴散到微粒的表面，從而產(chǎn)生了強烈的氧化還原勢。

光催化凈化技術(shù)具有室溫深度氧，二次污染小，運行成本低和可望利用太陽光為反應(yīng)光源等優(yōu)點，所以光催化特別合適室內(nèi)揮發(fā)有機物的凈化，在深度凈化方面顯示出了巨大的應(yīng)用潛力。

限制光催化應(yīng)用的原因：

1.光腐蝕

2.光催化劑本身的吸光率和評價中使用光源的波長與強度

3.光催化反應(yīng)中電子空穴再結(jié)合的防止

4.氧化反應(yīng)開始后的后續(xù)反應(yīng)難以控制

5.比表面積不足